Chiplet技术:既具备先进性,又续命摩尔定律
1 、技具备Chiplet 在成本、术既良率、先进性又续命设计灵活性等方面优势明显
Chiplet 俗称“芯粒”或“小芯片组”,定律通过将原来集成于同一 SoC 中的技具备各个元件分拆,独立 为多个具特定功能的术既 Chiplet ,分开制造后再通过先进封装技术将彼此互联 ,先进性又续命最终集成封装 为一个系统芯片。定律
由于Chiplet芯粒可以独立设计和组装,技具备因此制造商可以根据自己的术既需要来选择不同类型、不同规格和不同供应商的先进性又续命芯粒进 行组合,很大程度上提高了芯片设计的定律灵活性和可定制化程度;并且制造商可以依赖于预定 好的亿华云芯片工具箱来设计新产品,缩短芯片的技具备上市时间。同时,术既Chiplet 技术可以将 大型 7nm 设计的先进性又续命成本降低高达 25%;在 5nm 及以下的情况下 ,节省的成本更大。
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Chiplet 技术被视为“异构”技术的焦点 ,也是当下最被企业所认可的新型技术之一 。2022 年 3 月 ,英特尔、高防服务器AMD 、Arm 、高通 、三星、台积电、日月光、Google Cloud 、Meta、微软等 全球领先的芯片厂商共同成立了 UCIe 联盟 ,旨在建立统一的 die-to-die 互联标准 ,促进 Chiplet 模式的应用发展,目前联盟成员已有超过 80 家半导体企业,越来越多的云计算企业开始研 发 Chiplet 相关产品 。
2、Chiplet市场规模快速成长
根据 Gartner 数据统计,基于 Chiplet 的半导体器件销售收入在 2020 年仅为 33 亿美元, 2022 年已超过 100 亿美元 ,预计 2023 年将超过 250 亿美元,2024 年将达到 505 亿美元 ,复 合年增长率高达 98% 。超过 30%的 SiP 封装将使用芯粒(Chiplet)来优化成本 、性能和上市 时间 。
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MPU 占据 Chiplet 大部分应用应用场景 ,Omdia 预测 2024 年用于 MPU 的 Chiplet 约占 Chiplet 总市场规模的 43%。建站模板
随着 Chiplet 技术的发展 , Chiplet 产业链各环节逐渐完善 ,即由 Chiplet 系统级设计、EDA/IP 、芯粒(核心 、非核心 、 IO Die、Base Die)、制造、封测组成的完整 Chiplet 生态链。
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Chiplet 产业链主链有四大环节 ,包括芯粒、芯片设计、封装生产和系统应用,源码库支撑环节包 括芯粒生产、设计平台、EDA 工具、封装基板、封测设备等领域。
3、IC 制造及封测厂加码布局 Chiplet
目前全球封装技术主要由台积电、三星 、Intel 等公司主导 ,主要是 2.5D 和 3D 封装 。2.5D 封装技术已非常成熟 ,广泛应用于 FPGA 、CPU 、GPU 等芯片 ,目前是服务器租用 Chiplet 架构产品主要的 封装解决方案 。3D 封装能够帮助实现 3D IC,即晶粒间的堆叠和高密度互连,可以提供更为 灵活的设计选择 。但 3D 封装的技术难度更高,目前主要有英特尔和台积电掌握 3D 封装技术 并商用 。台积电比三星、英特尔更早采用 Chiplet 的封装方式 。
1)台积电3D Fabric封装技术
台积电推出了3D Fabric,搭载了完备的3D硅堆栈(3D Silicon Stacking)和先进的封装技术 。3DFabric 是由台积电前端 3D 硅 堆栈技术 TSMC SoIC 系统整合的芯片,由基板晶圆上封装(Chip on Wafer on Substrate, CoWoS)与整合型扇出(Integrated Fan-Out, InFO)的后端 3D 导线连接技术所组成,能够 为客户提供整合异质小芯片(Chiplet)的弹性解决方案 。该项技术先后被用于赛灵思的 FPGA、 英伟达的 GPU 以及 AMD 的 CPU 。
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2)Intel 2.5D 封装技术EMIB
Intel主导的 2.5D 封装技术为 EMIB,使用多个嵌入式包含多个路由层的桥接芯片 ,同时内 嵌至封装基板 ,达到高效和高密度的封装 。由于不再使用 interposer 作为中间介质,可以去 掉原有连接至 interposer 所需要的 TSV ,以及由于 interposer 尺寸所带来的封装尺寸的限制,可以获得更好的灵活性和更高的集成度。
相较于 MCM 和 CoWoS 技术,EMIB 技术获得更高 的集成度和制造良率。英特尔对各种先进封装产品组合 (如 Foveros 、EMIB 和 Co-EMIB) 的 投资是实施公司新领导层所公布的 IDM2.0 战略的关键。
3)三星公X Cube 3D封装技术
三星也在积极投资先进的封装技术,以满足 HPC 应用在异质芯片整合的快速发展。2020 年 8 月,三星公布了 X Cube 3D 封装技术。在芯片互连方面 ,使用成熟的硅通孔 TSV 工艺 。目前 X Cube 能把 SRAM 芯片堆叠在三星生产的 7nm EUV 工艺的逻辑芯片上,在更易于扩展 SRAM 容 量的同时也缩短了信号连接距离 ,提升了数据传输的速度。此后发布的 I-Cube 可以将一个 或多个逻辑Die 和多个 HBM die 水平放置在硅中介层 ,进行异构集成 。
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4)日月光FOCoS先进封装技术
日月光凭借在 FOCoS 先进封装技术的布局,是目前在封测代工厂中唯一拥有超高密度扇出解 决方案的供应商 。日月光的 FOCoS 提供了一种用于实现小芯片集成的硅桥技术,称为 FOCoSB(桥),它利用带有路由层的微小硅片作为小芯片之间的封装内互连,例如图形计算芯片 (GPU)和高带宽内存(HBM)。硅桥嵌入在扇出 RDL 层中,是一种可以不使用硅中介层的 2.5D 封 装方案 。与使用硅中介层的 2.5D 封装相比 ,FOCoS-B 的优势在于只需要将两个小芯片连接在 一起的区域使用硅片 ,可大幅降低成本。
5)长电科技2.5D TSV-less封装技术
长电科技推出的面向Chiplet小芯片的高密度多维异构集成技术平台 XDFOI可实现 TSV-less 技术,达到性能和成本的双重优势,重点应用领域为高性能运算如 FPGA 、5G、自动驾驶、智能医疗等 。XDFOI是一种以 2.5D TSV-less 为基本技术平台的封装技术, 在线宽/线距可达到 2μm/2μm 的同时,还可以实现多层布线层,以及 2D/2.5D 和 3D 多种异 构封装 ,能够提供小芯片(Chiplet)及异构封装的系统封装解决方案。目前长电先进 XDFOI 2.5D 试验线已建设完成 ,并进入稳定量产阶段,同步实现国际客户 4nm 节点多芯片系统集成 封装产品出货。
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